表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。

热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅和二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质

热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅与二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质

[单选题]二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。A . 降低B . 增加C . 不变D . 先降低后增加

二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）     ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩

[主观题]铸造用硅砂二氧化硅分级，如代号为98，表示二氧化硅最低含量为98%。此题为判断题(对，错)。

硅灰按照二氧化硅含量分为( )级。A. 85B. 88 |C. 90D. 92

[单选题]二氧化硅A．阴离子乳化剂B．非离子乳化剂C．天然乳化剂D．固体微粒乳化剂E．辅助乳化剂

[单选题]硅砂分级代号中，表示二氧化硅含量最高的代号是（）。A . 98B . 90C . 85D . 75

[单选题]硅和氧很容易化合成二氧化硅，所以硅铁常用于炼钢作（）。A .脱氧剂B .脱硫剂C .变性剂D .合金添加剂

[填空题] 二氧化硅的含量高，硅砂的（）也较高。