扩散,可以分为三个步骤:预淀积、再扩散(杂质推进)、杂质激活。

[判断题] 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A . 正确B . 错误

[填空题] 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

[问答题] 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A . 600～750℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 950～1100℃

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A . 1050～1200℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 1200～1350℃

[问答题,论述题] 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A . 4～6hB . 50min～2hC . 10～40minD . 5～10min

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A . 4～6hB . 50min～2hC . 10～40minD . 5～10min

根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）A. 填隙式扩散B. 替位式扩散C. 有限源扩散D. 恒定源扩散

[填空题] 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。