硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

[判断题] 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A . 正确B . 错误

[问答题] 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

扩散,可以分为三个步骤:预淀积、再扩散(杂质推进)、杂质激活。A. 正确B. 错误

[填空题] 热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

[填空题] 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

[单选题]通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A . 再分布B . 等表面浓度扩散C . 预淀积D . 等总掺杂剂量扩散

[名词解释] 热扩散

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A . 1050～1200℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 1200～1350℃

[问答题] 杂质在硅中的扩散方式有哪些？

[问答题] 例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？