剩余不多的多晶硅时,要提高温度和提拉速度,进行收尾拉光,否则容易引起坩埚的破裂。

[单选题]（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。A .直拉法B .铸锭法C .西门子法D . D.三氯氢硅还原法

[问答题] 铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

[单选题]晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（）的主流材料。A.燃料电池B.锂电池C.太阳能电池D.镍电池

[单选题]晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料，也是()的主流材料。A.燃料电池B.锂电池C.太阳能电池D.镍电池

[单选题]晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料，也是()的主流材料。A.燃料电池B.锂电池C.太阳能电池D.镍电池

[单选题]晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（）的主流材料。A.燃料电池B.锂电池C.太阳能电池D.镍电池

多晶硅的制备方法有 。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 二氯氢硅的氢还原法C. 硅烷的热分解法D. 直拉法

[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

直拉法制备单晶硅的过程是：清洁处理——装炉——加热融化——拉晶，其中拉晶是最主要的工序，拉晶包括（）、（）、放肩、（）和收尾拉光等过程。直拉法制备单晶硅的过程是

[单选题]关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）A . 在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。B . 非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。C . 多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。D . 与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。