A. 三氯氢硅的氢还原法
B. 二氯氢硅的氢还原法
C. 硅烷的热分解法
D. 直拉法
工业上最常用的多晶硅制备方法是()A. 直拉法B. 三氯氢硅的氢还原法C. 沉积法D. 区熔法
[问答题] 铸造技术为何能提高多晶硅纯度;制备铸造多晶硅的工艺流程;描述直培法工艺;影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
利用 LPCVD 法制备多晶硅薄膜时,可以选择普通玻璃作为衬底A. 正确B. 错误
[单选题]其中不属于多晶硅的生产方法的是().A . SiCl4法B . 硅烷法C . 直拉法D . 西门子改良法
[填空题] 目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法(改良西门子法)和()两种方法。
[问答题] 多晶硅铸模的制造成技术有哪些?
[单选题]下列铸造多晶硅的制备方法中,()没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。A . 布里曼法B . 热交换法C . 电磁铸锭法D . 浇铸法
[单选题]多晶硅组件效率不低于()。A . 0.15B . 0.1C . 0.14D . 0.06
[单选题]下列关于铸造多晶硅的方法叙述中,错误的是( )A.布里曼法的特点是坩埚和热源在凝固开始时做相对位移B.用热交换法时一般在坩埚底部置一热开关,熔化时热开