掺磷的n型硅,室温时,=2.8times (10)^19(cm)^-3, =2.8times (10)^19(cm)^-3,那么,300K时掺杂范围应保持多少才能其处于强电离区。

_(sp)^theta (Fe((OH))_(3))=2.8times (10)^-39

(7)已知 _(sp)^theta ((Ag)_(2)(Cr{O)_(4)}^-)=1.1times (10)^-12 _(sp)^theta (pbcr(O)

一块有掺杂补偿的n型硅单晶材料,其平衡电子浓度 _(0)=7.5times (10)^15(cm)^-3, 已知掺入-|||-的受主浓度 _(A)=5times

硅样品中施主浓度和受主浓度分别为^16(cm)^-3 times (10)^15(cm)^-3,设室温下杂质全部电离。试计算电子和空穴浓度以及费米能级^16(c

室温下n型硅杂质浓度 _(D)=5.0times (10)^14(cm)^-3, 若 _({F)_(n)}-(E)_(F)=0.01(k)_(0)T, 这时样品

例4.13 计算给定费米能级位置下所需的施主杂质浓度。-|||-考虑 =300k 时的硅材料,其掺杂浓度为 _(a)=(10)^16(cm)^-3 求使半导体变

7.22 一定量的刚性双原子分子理想气体,开始时处于压强为 _(0)=1.0times (10)^5Pa 体积为 _(0)=4times (10)^-3-|||

2.在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度 _(D)=5times (10)^15(cm)^-3, 受主杂质浓度 _(A)=8times -|||-^14(cm)^-

如图所示,已知 r=6cm d=8cm, _(1)=3times (10)^-8C, _(2)=-3times (10)^-8C, 求(1)将电荷量为-|||-

(k)^-1=27.2+3.8times (10)^-3J/k-|||-_(5min)=(1.5mol)cdot (({m)^-1)}^-1=30.14time