2.在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度 _(D)=5times (10)^15(cm)^-3, 受主杂质浓度 _(A)=8times -|||-^14(cm)^-3, 设室温下本征硅材料的电阻率 (rho )_(1)=2.2times (10)^5Omega cdot cm, 不考虑杂质浓度对迁移率的影-|||-响,求室温下少子浓度和样品的电导率。(浙江理工大学2011年考研真题)

[题目]在半导体锗材料中,掺入施主杂质浓度ND-|||-=1014cm-3 ,受主杂质浓度 =7times 1013cm-3 设-|||-室温下本征锗的电阻率为

在半导体锗材料中,掺入施主杂质浓度ND=10１4cm-3, 受主杂质浓度NA=7×1013cm-3,设室温下本征锗的电阻率为60Ω.cm,假设电子和空穴的迁移率

硅样品中施主浓度和受主浓度分别为^16(cm)^-3 times (10)^15(cm)^-3,设室温下杂质全部电离。试计算电子和空穴浓度以及费米能级^16(c

一块有掺杂补偿的n型硅单晶材料,其平衡电子浓度 _(0)=7.5times (10)^15(cm)^-3, 已知掺入-|||-的受主浓度 _(A)=5times

计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。计算含有施主杂质浓

室温下n型硅杂质浓度 _(D)=5.0times (10)^14(cm)^-3, 若 _({F)_(n)}-(E)_(F)=0.01(k)_(0)T, 这时样品

半导体材料中杂质浓度大于 ^18(cm)^-3 时,描述其载流子浓度的分布要采用 __-|||-统计分布;会出现 __ 的现象。

在单晶半导体材料中掺入受主杂质会导致该半导体内电子浓度小于空穴浓度。对错 在单晶半导体材料中掺入受主杂质会导致该半导体内电子浓度小于空穴浓度。对错

例4.13 计算给定费米能级位置下所需的施主杂质浓度。-|||-考虑 =300k 时的硅材料,其掺杂浓度为 _(a)=(10)^16(cm)^-3 求使半导体变

一块均匀掺杂n型半导体,杂质浓度为ND,施主杂质能级在导带底下0.049eV处,在-|||-温度为150K时,电离的施主杂质浓度为杂质浓度的 https:/im