[题目]在半导体锗材料中,掺入施主杂质浓度ND-|||-=1014cm-3 ,受主杂质浓度 =7times 1013cm-3 设-|||-室温下本征锗的电阻率为60Ω.cm,假设电子和空穴-|||-的迁移率分别为 mu m=3600cm2/s mu P=1800cm21-|||-Vs,如流过样品的电流密度为 .3mA/cm2, .求所-|||-加的电场强度。-|||-(提示:杂质完全电离,先求ni,由电中型条件和n0p0-|||-=ni2 求n0和p0,再求电导率和电场)

在半导体锗材料中,掺入施主杂质浓度ND=10１4cm-3, 受主杂质浓度NA=7×1013cm-3,设室温下本征锗的电阻率为60Ω.cm,假设电子和空穴的迁移率

2.在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度 _(D)=5times (10)^15(cm)^-3, 受主杂质浓度 _(A)=8times -|||-^14(cm)^-

计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。计算含有施主杂质浓

硅样品中施主浓度和受主浓度分别为^16(cm)^-3 times (10)^15(cm)^-3,设室温下杂质全部电离。试计算电子和空穴浓度以及费米能级^16(c

在单晶半导体材料中掺入受主杂质会导致该半导体内电子浓度小于空穴浓度。对错 在单晶半导体材料中掺入受主杂质会导致该半导体内电子浓度小于空穴浓度。对错

半导体材料中杂质浓度大于 ^18(cm)^-3 时,描述其载流子浓度的分布要采用 __-|||-统计分布;会出现 __ 的现象。

<8分)室温下Ge中掺入锑的浓度为1015cm-3,设杂质全电离,且μn=3600cm2/Vs,μp=1700cm2/Vs,已知本征载流子浓度ni=2.5×10

在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度A. 正确B. 错误

在室温下,锗的有效态密度NC=1.051019cm-3,NV=5.71018cm-3,Eg=0.67eV。求温度为300K和500K时,同时含施主浓度ND=

【单选题】要得到 N 型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的() 。A. 三价元素B. 四价元素C. 五价元素D. 六价元素