<8分)室温下Ge中掺入锑的浓度为1015cm-3,设杂质全电离,且μn=3600cm2/Vs,μp=1700cm2/Vs,已知本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3,试求:B6tPmXHuk0(1) 室温下电子和空穴浓度;(2) 室温下该材料的电阻率。<计算时可能会用到的常数:q=1.6×10-19C,k0=1.38×10-23J/K,ε0=8.85×10-12F/m,ln10=2.3,ln2=0.69)B6tPmXHuk0

<8分)

室温下Ge中掺入锑的浓度为1015cm-3,设杂质全电离,且μn=3600cm2/Vs,μp=1700cm2/Vs,已知本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3,试求:B6tPmXHuk0

(1) 室温下电子和空穴浓度;

(2) 室温下该材料的电阻率。

<计算时可能会用到的常数:q=1.6×10-19C,k0=1.38×10-23J/K,ε0=8.85×10-12F/m,ln10=2.3,ln2=0.69)B6tPmXHuk0

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