计算衬底掺杂在1015cm-3和1018cm-3之间的硅n+p结光电池的开路电压。假设Ls=100μm，Dn=36cm2/s，光电流密度IL/A=35mA/cm2，这些参数与掺杂浓度无关。

在室温下,锗的有效态密度NC=1.051019cm-3,NV=5.71018cm-3,Eg=0.67eV。求温度为300K和500K时,同时含施主浓度ND=

[单选题]面积为10cm2的硅太阳能电池在100mw/cm2光照下，开路电压为600mV，短路电流为400mA，填充因子为0.8，则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为（）A . 19.2℅B . 17.6℅C . 15.6℅D . 20.3℅

<8分)室温下Ge中掺入锑的浓度为1015cm-3,设杂质全电离,且μn=3600cm2/Vs,μp=1700cm2/Vs,已知本征载流子浓度ni=2.5×10

计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。计算含有施主杂质浓

[判断题] 硒光电池比硅光电池更稳定。A . 正确B . 错误

[问答题] 压强单位Mpa、kg/cm2、N/cm2及bar之间如何换算？

[单选题]光电池电流滞后于光照，属于光电池的（）特性。A . 频率；B . 伏安；C . 光谱；D . 温度；

[填空题] PN结光电器件，反偏时光电流与反偏电压（）。

[单选题]硅光电二极管与硅光电池比较，后者（）。A . 掺杂浓度低B . 电阻率低C . 反偏工作D . 光敏面积小

[单选题]硅光电二极管与硅光电池比较，前者（）。A . 掺杂浓度低B . 电阻率低C . 零偏工作D . 光敏面积大