一块掺杂施主浓度为2 times 10^16的硅片,在920^circmathrm(C)下掺金到饱和浓度,然后经氧化等处理,最后此硅片的表面复合中心为10^10 , mathrm(cm)^-2。(1)计算体寿命、扩散长度和表面复合速度。(2)如果用光照射硅片并被样品均匀吸收,电子一空穴对的产生率是10^17 , mathrm(cm)^-3 cdot mathrm(s)^-1,试求表面处的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少?

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