热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 ______ 引起的。（两个字）

热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅和二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质

热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅与二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质

[判断题] 光纤中的主要杂质有SiO2。A . 正确B . 错误

[问答题,论述题] 简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

[问答题,论述题] 简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。

[问答题,论述题] 简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

[判断题] 硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。A . 正确B . 错误

[多选题] 新锅炉启动初期系统中杂质含量过多，引起蒸汽SiO2超标准，需要采取的措施是（）。A .开大连排B .定排一次C .改善给水水质D .改变锅炉运行工况

[判断题] 炼钢中[Si]+[O2]=（SiO2）是吸热反应。A . 正确B . 错误

[判断题] 炼钢中，Si+O2＝SiO2是吸热反应。A . 正确B . 错误