Ⅲ族、v族元素掺入半导体硅、锗以后,施主电离能 Delta ED 和受主电离能 Delta EA 的数值远-|||-低于禁带宽度Eg。这是因为 __ 远弱于 __ 施主杂质和受主杂质之间的相-|||-互抵消作用称为 __ 若出现施主浓度近似等于受主浓度的现象,则称为杂质的.-|||-__ 这时不能向导带(或价带)提供有效的 __

试述元素第一电离能的含义。电离能的大小取决于哪些因素?为什么元素的 逐级电离能依次增大?试述元素第一电离能的含义。电离能的大小取决于哪些因素?为什么元素的 逐级

[单选题]半导体硅常用的受主杂质是（）。A . 锡B . 硫C . 硼D . 磷

在硅中能形成受主杂质的元素是()。A. 硼B. 磷C. 硫D. 锗

[单选题]半导体硅常用的施主杂质是（）。A . 锡B . 硫C . 硼D . 磷

[名词解释] 平均电离能

[单选] 半导体硅常用的施主杂质是（）A. 锡B. 硫C. 硼D. 磷

[单选题]对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A .非本征B.本征

[题目]在半导体锗材料中,掺入施主杂质浓度ND-|||-=1014cm-3 ,受主杂质浓度 =7times 1013cm-3 设-|||-室温下本征锗的电阻率为

[问答题] 若P型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？若n型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？

[单选题]下列元素中第一电离能最小的是（　　）。A.HB.LiC.NaD.K