4.[判断题]PN结内的漂移电流是少数载流子在内-|||-电场作用下形成的。() ()-|||-A 对-|||-B 错

在内建电场的作用下少数载流子运动所形成的电流称为扩散电流。A. 对B. 错

[主观题]PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。此题为判断题(对，错)。

4.填空题少数载流子由于内建电场的作用而移动产生______电流4.填空题少数载流子由于内建电场的作用而移动产生______电流

PN结中由载流子浓度差所形成的电流称为漂移电流。A. 对B. 错

【判断题】P型半导体中多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴。【判断题】P型半导体中多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴。() (4.0分)

[问答题] 了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。

填空题 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生

[填空题] PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。

4.[判断题]热击穿是可逆击穿-|||-A 对-|||-B错

[填空题] PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。