此题为判断题(对，错)。
[填空题] PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。
在内建电场的作用下少数载流子运动所形成的电流称为扩散电流。A. 对B. 错
4.[判断题]PN结内的漂移电流是少数载流子在内-|||-电场作用下形成的。() ()-|||-A 对-|||-B 错
[填空题] PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
[问答题] 了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
PN结正偏时,有利于 载流子的运动,阻碍 载流子的运行。( 选填“多数”、“少数” )PN结正偏时,有利于 载流子的运动,阻碍 载流子的运行。( 选填“多数
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
[填空题] P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。
[填空题] PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
【填空题】P 型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子; N 型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴【填空题】P 型半导体的多数载流子是空穴,少数载流