PN结正偏时,有利于 载流子的运动,阻碍 载流子的运行。( 选填“多数”、“少数” )

[填空题] PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

[主观题]PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。此题为判断题(对，错)。

[填空题] PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。

下列关于PN结中载流子的运动说法正确的是A. 漂移运动是指空隙的运动,扩散运动是指电子的运动B. 漂移运动是P型半导体中载流子的运动,扩散运动是N型有半导体中的

【填空题】P 型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子; N 型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴【填空题】P 型半导体的多数载流子是空穴,少数载流

[填空题] P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。

在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。

[判断题] 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。A . 正确B . 错误

[判断题] 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）A . 正确B . 错误

P型半导体中()为多数载流子,热激发形成的()是少数载流子。A. 自由电子;空穴B. 空穴;自由电子C. 负离子;正离子D. 负离子;自由电子