A. 漂移运动是指空隙的运动,扩散运动是指电子的运动
B. 漂移运动是P型半导体中载流子的运动,扩散运动是N型有半导体中的载流子的运动
C. 漂移运动是指在电场力作用中的少子的的运动，扩散运动是由于载流子分布的浓度梯度造成的由高浓度和低浓度的运动
[主观题]PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。此题为判断题(对，错)。
[填空题] PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
PN结正偏时,有利于 载流子的运动,阻碍 载流子的运行。( 选填“多数”、“少数” )PN结正偏时,有利于 载流子的运动,阻碍 载流子的运行。( 选填“多数
填空题 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生
PN结中由载流子浓度差所形成的电流称为漂移电流。A. 对B. 错
[单选题]关于PN结下列说法正确的是：（）。A .PN结是P型，N型半导体混合制成的B .PN结是P型，N型半导体相接触形成的C .PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的D .PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
[单选题]由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A .在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB .硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC .电位降落的方向和内电场方向相反D .硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
[填空题] PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。
[单选题]下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是（）。A .P端接+5V，N端通过一电阻接+7VB .N端接+2V，P端通过一电阻接+7VC .P端接-3V，N端通过一电阻接+7VD .P端接+1V，N端通过一电阻接+6V
[多选题] 关于PN规划，以下正确的说法是：（）A . PN_INC一般取3或4，且全业务区统一B . 只要保证间隔一个站以上，PN就可以复用；C . 导频混淆只影响到涉及PN相同的这两个小区；D . PN复用距离和地形地物、天线朝向等因素都有关系；