CZ法提拉单晶的工艺流程是什么?为什么CZ法提拉的晶圆比悬浮区熔法提拉的单晶有较高的氧浓度?1.将高纯度的电子级硅材料放入缓慢转动的石英坩埚中在1415C熔化(硅的熔点是1414C)2.将一个安装在慢速转动夹具上的单晶硅籽晶棒缓慢降低高度,溶解在熔融硅中3.将单晶硅籽晶缓慢拉出就可以把熔融的硅拉出来,使其沿着籽晶的晶体方向凝固。CZ法提拉的单晶硅棒总是有微量的氧和碳杂质,这是由于坩埚本身的材料引起的。而悬浮区熔法处理的时候不接触坩埚。

() 法是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,缓慢旋转提拉,使结晶生-|||-长,凉后得到长棒形状的单晶硅铸模。-|||-A.LSI B.IC C.CZ D

[问答题] 采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？

[单选题]（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。A .直拉法B .铸锭法C .西门子法D . D.三氯氢硅还原法

[单选题]直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）A .6B .2C .4D .5

[填空题] CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

[名词解释] 提拉法

CZ法和悬浮区熔法都可以用于制作晶圆,但是()比较常用,便宜并且可以制作大尺寸的晶圆,()可以制作纯度较高的晶圆。A. CZ法,CZ法B. 悬浮区熔法，悬浮区熔

[判断题] 85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A . 正确B . 错误

[单选题]下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）A .加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长B .加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长C .加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长D .加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—

[单选题]下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是（）。A .种晶—放肩—等径—引晶B .引晶—放肩—等径—种晶C .种晶—引晶—放肩—等径D . D.引晶—种晶—放肩—等径