证明以下结构晶面族的面间距:(1) 立方晶系:_(h{K)_(k)}=a[ (h)^2+(k)^2+(1)^2] -dfrac (1)(2),,(2) 正交晶系:_(h{K)_(k)}=a[ (h)^2+(k)^2+(1)^2] -dfrac (1)(2),,(3) 六角晶系:_(h{K)_(k)}=a[ (h)^2+(k)^2+(1)^2] -dfrac (1)(2),,(4) 简单单斜:_(h{K)_(k)}=a[ (h)^2+(k)^2+(1)^2] -dfrac (1)(2),,.[解答](1)设沿立方晶系轴a,b,c的单位矢量分别为i,j,k,则正格子基矢为_(h{K)_(k)}=a[ (h)^2+(k)^2+(1)^2] -dfrac (1)(2),,_(h{K)_(k)}=a[ (h)^2+(k)^2+(1)^2] -dfrac (1)(2),,(1) 电子的能量与波失的关系;(2) 带顶空穴及带底电子的有效质量;(3) 求A=0时电子的能态密度;(4) 求T=0时的费米能_(h{K)_(k)}=a[ (h)^2+(k)^2+(1)^2] -dfrac (1)(2),,.

6 对于简单立方晶格,证明密勒指数为(h, k,l)的晶面系,面间距d 满足d^2=a^2/(h^2+k^2+l^2)其中 a 为立方边长。6 对于简单立方晶格

).，求：（1）参数a； X=k =dfrac (a)({2)^k}(k=1,2,... ).； X=k =dfrac (a)({2)^k}(k=1,2,...

[单选题]设有两个散列函数H1(K)=K mod 13和H2(K)=K mod 11+1，散列表为T[0…12]，用二次散列法解决冲突。函数H1用来计算散列地址，当发生冲突时，H2作为计算下一个探测地址的地址增量。假定某一时刻散列表的状态为：下一个被插入的关键码为42，其插入位置应是A．0B．1C．3D．4

, H 2 S 的 p K Θ a1 = 6.89 , p K Θ a2 =14.15 )A. M 2+ 开始沉淀时所需 S 2- 离子浓度为 9.1×10 -

1、设有一维晶体的电子能带可写成(k)=dfrac ({h)^2}(m{a)^2}(dfrac (7)(8)-cos ka+dfrac (1)(8)cos 2k

[单选题,A2型题,A1/A2型题] S=（D1-D2）/H=K/H中，H是（）A . 高度B . 密度C . 厚度D . 模糊值E . 灰雾值

[单选题]S=(D1-D2)/H=K/H中，H是（）A.高度B.密度C.厚度D.模糊值E.灰雾值

6.某弱酸H2A的 (K)_({a)_(1)}=2.0, (K)_({a)_(2)}=5.0, 当 [ (H)_(2)A] =[ (A)^2-] 时,溶液的p

23.298K时,已知 (varphi )_({H)_(2)}^2/(H)_(B)=0.788V (varphi )_({Hg)^2+/(H)_(B)}=0.8

设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:Ec=dfrac ({h)^2(k)^2}(3{m)_(0)}+df