[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误
[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误
[填空题] 光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
IC制造中用的光刻胶一般由()组成。A. 感光剂B. 增感剂C. 溶剂D. 去离子水
[判断题] 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A . 正确B . 错误
[问答题] 若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区,光刻时需要使用哪种光刻胶?为什么?并简介光刻操作流程。
[单选题]在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A . DQNB . CAC . ARCD . PMMA
[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误