例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误

[多选题] 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A . 负胶受显影液的影响比较小B . 正胶受显影液的影响比较小C . 正胶的曝光区将会膨胀变形D . 使用负胶可以得到更高的分辨率E . 负胶的曝光区将会膨胀变形

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

环化橡胶类光刻胶是负胶。A. 正确B. 错误

光刻胶的成分包含:A. 高分子聚合物（树脂）B. 感光剂C. 溶剂D. 添加剂

[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误

光刻胶的主要成分有()A. 聚合物材料B. 感光剂C. 溶剂D. 添加剂

[填空题] 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。