光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

[问答题] 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误

环化橡胶类光刻胶是负胶。A. 正确B. 错误

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

由于负性光刻胶的黏附性和抗蚀性较好,同时光刻分辨率较高,因此负胶被广泛应用于先进光刻工艺中。()A. 正确B. 错误

[问答题] 根据成像结果的不同，光刻胶可分为哪两种类型，其中哪种成本较低且应用较早？

光刻胶的主要成分有()A. 聚合物材料B. 感光剂C. 溶剂D. 添加剂