由于负性光刻胶的黏附性和抗蚀性较好,同时光刻分辨率较高,因此负胶被广泛应用于先进光刻工艺中。()

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

环化橡胶类光刻胶是负胶。A. 正确B. 错误

[问答题] 光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误

[填空题] 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

光刻胶的成分包含:A. 高分子聚合物（树脂）B. 感光剂C. 溶剂D. 添加剂

光刻胶根据溶解性的变化，可以分为A. 正胶B. 负胶C. 中性胶D. 光阻