光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

由于负性光刻胶的黏附性和抗蚀性较好,同时光刻分辨率较高,因此负胶被广泛应用于先进光刻工艺中。()A. 正确B. 错误

[问答题,论述题] 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

[问答题] 什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

(易)光刻工艺的主要目的是:A. 在晶圆上形成图案B. 去除晶圆表面的杂质C. 提高晶圆的导电性D. 改变晶圆的机械性能

[单选题]光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。A . 150－200℃B . 200℃左右C . 250℃左右D . 300℃左右

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

[问答题] 什么是分辨率？如何表示分辨率？提高分辨率的措施有哪些？

光刻工艺首先要对硅片进行预处理,主要包括:A. 平整度和清洁度的检查B. 清洗C. 烘焙D. 增粘处理

[单选题]光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。A . 电子束曝光技术B . 离子束曝光技术C . X射线曝光技术