光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

[问答题] 什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

[问答题] 光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

[问答题] 简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

[问答题,论述题] 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

[填空题] 光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

[多选题] 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。A . 高分辨率B . 高灵敏度C . 精密的套刻对准D . 大尺寸E . 低缺陷

[单选题]光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A . 刻制图形B . 绘制图形C . 制作图形

[判断题] 曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。A . 正确B . 错误