光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

[单选题]光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A . 刻制图形B . 绘制图形C . 制作图形

[问答题,论述题] 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

[问答题] 什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

[单选题]光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。A . 150－200℃B . 200℃左右C . 250℃左右D . 300℃左右

(易)光刻工艺的主要目的是:A. 在晶圆上形成图案B. 去除晶圆表面的杂质C. 提高晶圆的导电性D. 改变晶圆的机械性能

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

光刻工艺首先要对硅片进行预处理,主要包括:A. 平整度和清洁度的检查B. 清洗C. 烘焙D. 增粘处理

[多选题]一般来讲，控制过程都要经过三个步骤，包括（）。A.建立标准B.分析存在问题C.根据已建立的标准测量当前活动D.采取纠正措施E.解决问题