(易)光刻工艺的主要目的是:

[问答题] 光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

[单选题]光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。A . 150－200℃B . 200℃左右C . 250℃左右D . 300℃左右

[问答题] 什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

烧结工艺的主要目的是：A. 提高矿石的含铁量B. 将矿粉、燃料、熔剂混合后烧结成块状C. 去除矿石中的杂质D. 降低矿石的粒度

光刻工艺首先要对硅片进行预处理,主要包括:A. 平整度和清洁度的检查B. 清洗C. 烘焙D. 增粘处理

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

[单选题]设置工艺联锁的主要目的是（）。A .在事故状态下保护设备避免事故的进一步扩大B .在事故状态下确保产品质量合格C .缩短事故处理时间D .在事故状态下，避免物料泄漏

均质工艺的主要目的是（ ）A. 改善口感与稳定性B. 降低酸度C. 提高蛋白质含量D. 延长保质期

均质工艺的主要目的是（）A. 延长保质期B. 提高蛋白质含量C. 改善口感与稳定性D. 降低酸度