最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

由于负性光刻胶的黏附性和抗蚀性较好,同时光刻分辨率较高,因此负胶被广泛应用于先进光刻工艺中。()A. 正确B. 错误

曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误

环化橡胶类光刻胶是负胶。A. 正确B. 错误

[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

光刻胶的成分包含:A. 高分子聚合物（树脂）B. 感光剂C. 溶剂D. 添加剂

[单选题]光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A . 刻制图形B . 绘制图形C . 制作图形

[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误

光刻胶的主要成分有()A. 聚合物材料B. 感光剂C. 溶剂D. 添加剂