A . 正确
B . 错误
[单选题]在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A . DQNB . CAC . ARCD . PMMA
[单选题]在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。A . 化学增强B . 化学减弱C . 厚度增加D . 厚度减少
[多选题] 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A . CA光刻胶对深紫外光吸收小B . CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C . CA光刻胶在显影液中的可溶性强D . 有较高的光敏度E . 有较高的对比度
[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误
曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误
[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
环化橡胶类光刻胶是负胶。A. 正确B. 错误
[判断题] 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A . 正确B . 错误