锗晶体和硅晶体外围有四个电子，可形成（）。

锗晶体中易形成替位式杂质的是()A. 硼B. 砷C. 离子锂D. 钢

[判断题] 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。A . 正确B . 错误

[单选题]硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）A .0.7V；0.3VB .0.2V；0.3VC .0.3V；0.7VD .0.7V；0.6V

由600℃降温到300℃时,锗晶体中的空位平衡浓度降低了六个数量级。试计算锗晶体中的空位形成能(玻尔兹曼常数k=1.38×10-23J/K)。由600℃降温到3

硅晶体中易形成间隙式杂质的是____。A. 硼B. 砷C. 离子锂

[填空题] 氧和碳在硅晶体中都呈（）分布。

[问答题] 什么是晶体？晶体和非晶体有何区别？

[问答题] 形成晶体有哪些方式？

晶体硅具有金钢石结构( )晶体硅具有金钢石结构( )

[单选题]硅晶体属于什么原子结构？( )A.氯化钠结构B.金刚石结构C.闪锌矿结构D.纤锌矿