硅晶体中易形成间隙式杂质的是____。

锗晶体中易形成替位式杂质的是()A. 硼B. 砷C. 离子锂D. 钢

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙

在硅中能形成受主杂质的元素是()。A. 硼B. 磷C. 硫D. 锗

[填空题] 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

[单选题]铁素体是碳原子溶入到（）立方晶体形成的间隙式固溶体。A .体心B .面心C .密集六方D .化合物

晶体中形成空位,同时又产生间隙原子,这种缺陷是()。A. 肖特基缺陷B. 面缺陷C. 线缺陷D. 弗兰克尔缺陷

[单选题]锗晶体和硅晶体外围有四个电子，可形成（）。A . 共价键B . 金属键C . 离子键D . 氢键

[填空题] 热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

[填空题] 晶体结构中的点缺陷类型共分（）、（）和（）三种，CaO加入到ZrO2中形成间隙式固溶体的的缺陷反应式为（），固溶式分子式：（）。形成置换式固溶体的的缺陷反应式为（），固溶式分子式：（）。

[问答题] 若P型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？若n型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？