锗晶体中易形成替位式杂质的是()

硅晶体中易形成间隙式杂质的是____。A. 硼B. 砷C. 离子锂

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙

[单选题]锗晶体和硅晶体外围有四个电子，可形成（）。A . 共价键B . 金属键C . 离子键D . 氢键

由600℃降温到300℃时,锗晶体中的空位平衡浓度降低了六个数量级。试计算锗晶体中的空位形成能(玻尔兹曼常数k=1.38×10-23J/K)。由600℃降温到3

[名词解释] 替位式扩散

[判断题] 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。A . 正确B . 错误

简述晶体螺旋位错生长理论的要点及形成晶体的过程。5. 简述晶体螺旋位错生长理论的要点及形成晶体的过程。

是晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体。A. P型半导体B. n型半导体C. 本征半导体D. 平衡半导体

[单选题]硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）A .0.7V；0.3VB .0.2V；0.3VC .0.3V；0.7VD .0.7V；0.6V

[单选题]当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.A . 上升B . 下降C . 不变D . 不确定