施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。

[填空题] 由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。

半导体单晶材料中的电子能级由于价电子的共有化分裂成能带，价带是0K条件下被电子填充的能量最高的能带,导带是0K条件下未被电子填充的能量最低的能带,导带底与价带顶

()N型半导体材料的费米能级高于禁带中心E；其费米能级越接近于导带底则表示其掺杂浓度越低。A. 正确B. 错误

[判断题] 光谱线的强度与跃迁能级的能量差、高能级上的原了总数及跃迁概率有关。A . 正确B . 错误

关于施主杂质和施主能级,以下表述正确的是:A. V族元素在Si和Ge中一般作为施主杂质，这是因为它们比Si和Ge多一个价电子，这个多余的价电子很容易挣脱束缚成为

[单选题]分子具有电子能级、振动能级和转动能级，各能级的能量顺序为（）。A .E转动＞E振动＞E电子B .E电子＞E振动＞E转动C .E电子＞E转动＞E振动

[单选题]电子从高能级向低能级跃迁，高能级和低能级的能量分别为E2和E1，则发射光子的能量为（）。A . hγ=E2-E1B . hγ=（E2+E1）/2C . hγ≥E2-E1D . hγ≥（E2+E1）/2.

[单选题]原子的外层电子由低能级激发到高能级时所需要的能量称为（）A . 激发电位B . 半波电位C . 催化电位D . 氧化电位

设晶格常数为的一维晶格,导带极小值附近能量和价带极大值附近能量分别为:,为电子惯性质量,。试求:(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量;(3)价带顶电子有效质

[单选题]固定制造费用的能量差异和闲置能量差异分别是指（ ）A．实际产量标准工时未能充分使用现有生产能量而形成的差异B．实际工时未达到标准生产能量而形成的差异C．实际工时脱离标准工时而形成的差异D．固定制造费用的实际金额脱离预算金额而形成的差异