A. V族元素在Si和Ge中一般作为施主杂质，这是因为它们比Si和Ge多一个价电子，这个多余的价电子很容易挣脱束缚成为导带电子
B. V族杂质在Si和Ge中释放电子的过程称为施主电离，施主电离所需的能量称为施主电离能，这个能力比禁带宽度要小得多
C. 被施主杂质束缚的电子对应的能量状态称为施主能级，它位于禁带中，但是距离导带底很近，它和导带底之间的差距即为施主电离能
D. 在纯净半导体中掺入施主杂质，杂质电离后导带中导电电子增多，半导体的导电能力增强，这时半导体中只有电子没有空穴，称为n型半导体
[单选题]N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级)，在能带中应处于（）。A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
[单选题]N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级)，在能带中应处于（）。A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
[单选题]N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级)，在能带中应处于（）。A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
[多选题] 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。A . 硼B . 锡C . 锑D . 磷E . 砷
[填空题] 施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。
[单选题]半导体中施主能级的位置位于（）。A . 禁带B . 满带C . 导带D . 价带
[单选题]半导体硅常用的施主杂质是（）。A . 锡B . 硫C . 硼D . 磷
[单选题]半导体中施主能级的位置位于（）中。A . 禁带B . 价带C . 导带D . 满带
[单选] 半导体中施主能级的位置位于（）A. 禁带B. 满带C. 导带D. 价带
[单选题]下列关于行政许可实施主体表述正确的是：（）A . 行政许可由法律法规授权的具有管理公共事务的事业组织实施B . 行政许可只能由有行政许可权的行政机关以自己的名义实施C . 行政许可可以委托公民或其它社会团体实施D . 受委托的行政机关可以转委托