下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

[单选题]半导体硅常用的施主杂质是（）。A . 锡B . 硫C . 硼D . 磷

[单选] 半导体硅常用的施主杂质是（）A. 锡B. 硫C. 硼D. 磷

[单选题]化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。A . 锡B . 硼C . 磷D . 锰

[填空题] 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）

关于施主杂质和施主能级,以下表述正确的是:A. V族元素在Si和Ge中一般作为施主杂质，这是因为它们比Si和Ge多一个价电子，这个多余的价电子很容易挣脱束缚成为

[单选题]如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。A .施主B .受主C .复合中心D . D.两性杂质

[单选题]半导体硅常用的受主杂质是（）。A . 锡B . 硫C . 硼D . 磷

[问答题] 杂质在硅中的扩散方式有哪些？

[填空题] 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

Ⅲ族、v族元素掺入半导体硅、锗以后,施主电离能 Delta ED 和受主电离能 Delta EA 的数值远-|||-低于禁带宽度Eg。这是因为 __ 远弱于 _