[填空题] 单晶硅棒和PN结的制造技术等,与()以及()等半导体制造技术有较多共同部分,且历史悠久,实际业绩突出。
[判断题]材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体。()A.对B.错
[判断题]材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体。()A.对B.错
[填空题] 半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
[单选题]半导体硅工业产品不包括()①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A . ①②④B . ①②③④C . ②③④D . ③④
[单选题]单晶硅谐振式压力(差压)变送器在单晶硅芯片上采用微电子机械加工技术,在其表面的中心和边缘制作成两个形状、大小完全一致的H形状的谐振梁,分别将压力或差压信号转换为(),送到脉冲计数器,再将两频率之差直接送到微处理器进行数据处理,将D/A换转后输出4~20mADc信号,两频率之差对应不同的压力信号.A . 电流信号B . 电压信号C . 电容变化D . 频率信号
[填空题] 用半导体的微细加工技术,在非晶基片上通过使用微细的表面结构,考察了单晶成长方法,并命名为()
[单选题]单晶硅电池的制造工艺主要流程为()A . 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B . 表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C . 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D . 表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
[填空题] 多晶硅表面的结晶面是多重的,因此不能像单晶硅基片那样,使用()的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。
[单选题]用于生产半导体元件的多晶硅在拉制成单晶硅之前纯度必须达到的起码要求是()A . 9个“9”B . 8个“9”C . 7个“9”D . 6个“9”