涂层扩散法是用含有磷的溶液代替（）进行（）和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。

[填空题] 气体扩散法是将含（）的气体在高温下向硅片进行扩散，形成（），一般都用这一方法。

[判断题] 虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。A . 正确B . 错误

[判断题] 扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。A . 正确B . 错误

[多选题] 下列可作为磷扩散源的是（）。A . 磷钙玻璃B . 三氯氧磷C . 三氯化磷D . 磷烷E . 掺磷二氧化硅乳胶源

[单选题]在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。A . 耐热陶瓷器皿B . 金属器皿C . 石英舟D . 玻璃器皿

[填空题] PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。

[判断题] 在达到动态平衡的PN结内、漂移运动和扩散运动不再进行。（）A . 正确B . 错误

[判断题] 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A . 正确B . 错误

[主观题]PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。此题为判断题(对，错)。

[单选题]如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。A . 扩散剂总量B . 压强C . 温度D . 浓度