虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。

对于Topcon太阳电池常用N型硅片，制作PN结时，扩散常用的扩散源是什么？A. 液态POCl3B. 液态BBr3C. BBr3水溶液D. POCl3水溶液

影响杂质扩散系数D的因素有:A. 温度B. 浓度梯度C. 扩散的杂质D. 衬底的材料

[填空题] 涂层扩散法是用含有磷的溶液代替（）进行（）和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。

晶体中的空位、自填隙、杂质都对杂质扩散有影响，其中空位对P、B等慢扩散杂质的影响最大。A. 正确B. 错误

【多选题】影响杂质扩散系数D的因素有:A. 温度B. 浓度梯度C. 扩散的杂质D. 衬底的材料

[问答题] 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

[判断题] 在达到动态平衡的PN结内、漂移运动和扩散运动不再进行。（）A . 正确B . 错误

[判断题] 扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。A . 正确B . 错误

[填空题] 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）

[填空题] 芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。