对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（ ）靠近Ei。

对于一定的 n 型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近 EiA. E CB. E VC. EgD. E F

[填空题] （）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。

判断在N型半导体中,掺入高浓度的三价元素杂质,可以改为P型半导体()。()A. √B. ×

在单晶半导体材料中掺入受主杂质会导致该半导体内电子浓度小于空穴浓度。对错 在单晶半导体材料中掺入受主杂质会导致该半导体内电子浓度小于空穴浓度。对错

[填空题] 在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。

[单选题]热电阻是利用（）成一定函数关系的金属导体或半导体材料制成的温度传感器。A .电阻值与温度量B .电阻值与压力量C .电阻值与电流量D .电阻值与电压量

对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（）A. 变大B. 变 小C. 不变D. 以上都不对

半导体材料中杂质浓度大于 ^18(cm)^-3 时,描述其载流子浓度的分布要采用 __-|||-统计分布;会出现 __ 的现象。

[填空题] 电阻温度计是基于金属导体或半导体的______与本身的______存在一定的函数关系的原理来实现测温的。

[填空题] 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。