对于一定的 n 型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近 Ei

对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（ ）靠近Ei。A. EcB. EvC. EgD. EF

[填空题] 在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。

[单选题]热电阻是利用（）成一定函数关系的金属导体或半导体材料制成的温度传感器。A .电阻值与温度量B .电阻值与压力量C .电阻值与电流量D .电阻值与电压量

对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（）A. 变大B. 变 小C. 不变D. 以上都不对

载流子浓度是半导体材料的重要参量，工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度来控制p型或n型半导体的载流子浓度。利用霍尔效应可以测量载流子的浓度和类型。如图所示为一

无论是 N 型还是 P 型半导体，其少数载流子的数量主要由掺杂浓度决定，掺杂浓度越高，少数载流子数量越多。A. 对B. 错

[填空题] 电阻温度计是基于金属导体或半导体的______与本身的______存在一定的函数关系的原理来实现测温的。

本征半导体是指没有任何掺杂的半导体材料()A. 对B. 错

[填空题] P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。

热处理是指将金属材料加热到一定温度,保温一定时间后,以一定的速度冷却,以改变其( )。A. 形状B. 尺寸C. 微观结构D. 宏观结构