旋转涂胶时,高速转动的结果是可以使光刻胶在晶圆表面堆积(边缘珠子),可以直接用溶剂喷洒到晶圆正面和背面边缘附近即可。

CZ法和悬浮区熔法都可以用于制作晶圆,但是()比较常用,便宜并且可以制作大尺寸的晶圆,()可以制作纯度较高的晶圆。A. CZ法,CZ法B. 悬浮区熔法，悬浮区熔

[问答题,论述题] 对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

光刻胶根据溶解性的变化，可以分为A. 正胶B. 负胶C. 中性胶D. 光阻

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误

离子注入时可以采用的掩膜有很多,例如二氧化硅,氮化硅,金属,光刻胶等,用的较多的是光刻胶。A. 对B. 错

[单选题]用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A . ARCB . HMDSC . 正胶D . 负胶

[问答题] 晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。

晶向的晶圆破碎成什么形状?A. 四方形或者直角B. 三角形C. 菱形D. 球形