离子注入时可以采用的掩膜有很多,例如二氧化硅,氮化硅,金属,光刻胶等,用的较多的是光刻胶。

离子注入工艺中,可用光刻胶来作为注入时的掩蔽膜-|||-A 对-|||-B 错

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误

[判断题] 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A . 正确B . 错误

光刻胶的主要成分有()A. 聚合物材料B. 感光剂C. 溶剂D. 添加剂

环化橡胶类光刻胶是负胶。A. 正确B. 错误

[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

光刻胶的成分包含:A. 高分子聚合物（树脂）B. 感光剂C. 溶剂D. 添加剂

[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误