离子注入工艺中,可用光刻胶来作为注入时的掩蔽膜-|||-A 对-|||-B 错

离子注入时可以采用的掩膜有很多,例如二氧化硅,氮化硅,金属,光刻胶等,用的较多的是光刻胶。A. 对B. 错

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用？

[名词解释] 离子注入

下列哪项不是离子注入工艺的优点？A. 精确控制掺杂浓度B. 掺杂深度可控C. 高温处理D. 高精度掺杂分布

[问答题,论述题] 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

下列哪种材料通常不会用于离子注入工艺中的掩膜材料?A. 二氧化硅B. 氮化硅C. 金属D. 光刻胶

离子注入工艺的主要目的是（）A. 形成金属连线B. 掺杂半导体C. 沉积薄膜D. 清洗晶圆

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量