离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[名词解释] 离子注入

[多选题] 对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。A . 入射离子的能量B . 入射离子的质量C . 入射离子的原子序数D . 靶原子的质量、原子序数、原子密度E . 注入离子的总剂量

[问答题] 离子注入表面改性

[名词解释] 离子注入的沟道效应

离子注入的描述,正确的是?A. 入射离子的位移阈能大于Ed,发生级联碰撞B. 离子注入后退火的目的是消除晶格损伤，并使注入杂质实现电激活C. 一级近似下，无定形

[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用？

离子注入工艺的主要目的是（）A. 形成金属连线B. 掺杂半导体C. 沉积薄膜D. 清洗晶圆

[问答题] 离子注入后为什么要退火？

[多选题] 离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。A . 砷化氢B . 二硼化氢C . 四氟化硅D . 三氟化磷E . 五氟化磷