A . 入射离子的能量
B . 入射离子的质量
C . 入射离子的原子序数
D . 靶原子的质量、原子序数、原子密度
E . 注入离子的总剂量
[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[填空题] 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。
离子注入的描述,正确的是?A. 入射离子的位移阈能大于Ed,发生级联碰撞B. 离子注入后退火的目的是消除晶格损伤,并使注入杂质实现电激活C. 一级近似下,无定形
[问答题] 离子注入后为什么要退火?
下列哪项不是离子注入工艺的优点?A. 精确控制掺杂浓度B. 掺杂深度可控C. 高温处理D. 高精度掺杂分布
[填空题] 离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。