A. 精确控制掺杂浓度
B. 掺杂深度可控
C. 高温处理
D. 高精度掺杂分布
[问答题] 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用?
离子注入工艺的主要目的是()A. 形成金属连线B. 掺杂半导体C. 沉积薄膜D. 清洗晶圆
[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
下列哪种材料通常不会用于离子注入工艺中的掩膜材料?A. 二氧化硅B. 氮化硅C. 金属D. 光刻胶
离子注入与扩散工艺相比,具有很好的均匀性,注入杂质纯度比较高。A. 正确B. 错误