例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高。A. 正确B. 错误

离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高，并且杂质浓度更容易控制。A. 正确B. 错误

[问答题] 什么是扩散工艺？

下列哪项不是离子注入工艺的优点？A. 精确控制掺杂浓度B. 掺杂深度可控C. 高温处理D. 高精度掺杂分布

[单选题]扩散工艺现在广泛应用于制作（）。A . 晶振B . 电容C . 电感D . PN结

[问答题,论述题] 集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A . 1050～1200℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 1200～1350℃

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A . 600～750℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 950～1100℃

[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用？

离子注入工艺的主要目的是（）A. 形成金属连线B. 掺杂半导体C. 沉积薄膜D. 清洗晶圆