A. 入射离子的位移阈能大于Ed,发生级联碰撞
B. 离子注入后退火的目的是消除晶格损伤,并使注入杂质实现电激活
C. 一级近似下,无定形靶内的纵向分布可用高斯函数表示
D. 能量一定的情况下,轻离子比重离子射程深
[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
离子注入掺杂与扩散掺杂相比,下列说法正确的是()A. 离子注入的横向扩散很大,不利于提高IC集成度;B. 离子注入的工艺温度更高;C. 离子注入能更精确地控制掺
离子注入工艺的主要目的是()A. 形成金属连线B. 掺杂半导体C. 沉积薄膜D. 清洗晶圆
下列哪项不是离子注入工艺的优点?A. 精确控制掺杂浓度B. 掺杂深度可控C. 高温处理D. 高精度掺杂分布
[问答题] 离子注入后为什么要退火?
[单选题]早期,研究离子注入技术是用()来进行的。A . 重离子加速器B . 热扩散炉C . 质子分析仪D . 轻离子分析器