早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。

[名词解释] 离子注入

[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[问答题] 离子注入后为什么要进行退火？

[问答题] 离子注入表面改性

离子注入的描述,正确的是?A. 入射离子的位移阈能大于Ed,发生级联碰撞B. 离子注入后退火的目的是消除晶格损伤，并使注入杂质实现电激活C. 一级近似下，无定形

离子注入掺杂后需要进行退火处理，其目的是:A. 增加掺杂剂量B. 修复晶格损伤C. 增强掺杂物的反应活性D. 降低注入深度

[名词解释] 离子注入的沟道效应

[问答题] 离子注入后为什么要退火？

离子注入工艺的主要目的是（）A. 形成金属连线B. 掺杂半导体C. 沉积薄膜D. 清洗晶圆