离子注入掺杂后需要进行退火处理，其目的是:

[问答题] 离子注入后为什么要进行退火？

离子注入掺杂与扩散掺杂相比，下列说法正确的是()A. 离子注入的横向扩散很大，不利于提高IC集成度；B. 离子注入的工艺温度更高;C. 离子注入能更精确地控制掺

[问答题] 离子注入后为什么要退火？

[判断题] 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A . 正确B . 错误

[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用？

离子注入过程中,常用的退火方法有()。A. 高温退火B. 快速热退火C. 氧化退火D. 电阻丝退火

[问答题] 离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？

[问答题] 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

[名词解释] 离子注入